当时方位：供求商机 SMU数字源表建立MOS电容CV特性测验试验渠道

  电容-电压(C-V)丈量大范围的使用在丈量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压改变的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测验能够便利的承认二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。

  普赛斯半导体功率器材C-V检测体系主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支撑的丈量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)担任供给可调直流电压偏置，经过矩阵开关加载在待测件上。

  进行C-V 丈量时，通常在电容两头施加直流偏压，一起使用一个沟通信号做丈量。通常用的沟通信号频率在10KHz 到1MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测验待测器材待测器材的沟通电压和电流，然后计算出不同电压下的电容值。

  内置CV测验：内置自动化CV测验软件，包括C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时刻），C-F（电容 - 频率）等多项测验测验功用;

  更多有关SMU数字源表建立MOS电容CV特性测验试验渠道概况找普赛斯外表专员为您回答，普赛斯教育试验渠道选用一体化规划，集成了数字源表、LCR电桥、万用表、示波器等通用外表；调配丰厚的测验夹具及试验教材，满意根底试验教育需求；测验设备简略易用，接线简略，便利学生着手操作；

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