金融界2024年11月19日音讯，国家知识产权局信息数据显现，深圳市美矽微半导体股份有限公司获得一项名为“种电阻结构”的专利，授权公告号 CN 222015410 U，请求日期为 2024年3月。

　　专利摘要显现，本请求公开了一种电阻结构，包含：P型衬底，NWEL 层，NWELL层设置在 P 型衬底上，NDIFF 层，NDIFF 层设置在 NWELL 层上，NDIFF 层包含两个榜首端口，两个榜首端口坐落别离设置于 NDIFF 层两头，两个榜首端口用于接作业电压，其间，两个榜首端口别离为输入端和输出端，P 型衬底包含多个第二端口，多个第二端口环绕NWELL 层，第二端口用于接地。本请求供给的电阻结构可以一起具有强过电流才能、耐高压以及占用面积小的长处。