基于普赛斯电子领X的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势，公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等LED检测系统、电流传感器检测系统、功率器件静态参数检测系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简单便捷以及快捷灵活的响应式服务等优势，大范围的应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用；为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案，同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

  普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表，可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。作为国内岭先的半导体电性能测试仪表提供商，普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野，推出的产品已被国内通信巨投和多家之名半导体企业认可和应用，是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来，公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨，朝着圈球半导体电性能测试仪表的L跑者迈进。

  普赛斯高电压+大电流IGBT测试机，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。

  普赛斯PMST功率器件静态参数检测系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件一直在变化的需求。

  普赛斯PMST功率器件静态参数检测系统，最重要的包含测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，和相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不一样的电压、电流等参数，以满足多种测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

  测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至皮安级漏电流；集电极-发射极，最大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；最高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率最高支持1MHz。

  高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；可定制开发：可按照每个用户测试场景定制化开发；

  集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

  针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供

  武汉普赛斯是国内生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；

  普赛斯仪表特色：高电流、高电压测试，3500V电压下可测量皮安级漏电流，1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。更多有关高电压+大电流IGBT测试机详情找普赛斯仪表专员为您解答

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