高电压+大电流igbt模块测验设备集多种丈量和剖析功用一体，能够精准丈量不同封装类型功率器材（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确丈量、纳安级电流丈量才能等特色。支撑高压形式下丈量功率器材结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

  普赛斯高电压+大电流igbt模块测验设备，最重要的包含测验主机、测验线、测验夹具、电脑、上位机软件，和相关通讯、测验配件等构成。整套体系选用普赛斯自主开发的测验主机，内置多种标准电压、电流、电容丈量单元模块。结合专用上位机测验软件，可根据测验项目需求，设置不一样的电压、电流等参数，以满意多种测验需求。测验数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测验主机可与探针台调配运用，完成晶圆级芯片测验；也可与高低温箱、温控模块等调配运用，满意高低温测验需求。

  测验主机内部选用的电压、电流丈量单元，均选用多量程规划，测验精度为0.1%。其间，栅极-发射极，最大支撑30V@10A脉冲电流输出与测验，可测验低至皮安级漏电流；集电极-发射极，最大支撑6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具有电压高速同步采样功用；最高支撑3500V电压输出，且自带漏电流丈量功用。电容特性测验，包含输入电容，输出电容，以及反向传输电容测验，频率最高支撑1MHz。

  针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯供给

  集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱满电压Vcesat

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