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长鑫存储”半导体芯片测验办法、设备、设备及存储介质“专利获授权

  取得“办法、设备、设备及存储介质”专利。答应公告日为11月14日,答应公告号码为cn116540059b。

  依据专利摘要,该揭露供给归于半导体制作技术领域的半导体芯片测验办法、设备、设备及存储介质。该办法对半导体芯片进行直流应力实验,得出直流应力实验成果,直流应力实验成果包含榜首失效单位的失效告诉。依据榜首无效单位的无效地址信息,确认沟通实验区;对沟通应力实验区域进行沟通应力实验,得出沟通应力实验成果,沟通应力实验成果包含第二实效单位的失效告诉。使用榜首个有用单位的有用地址信息,使用榜首个有用单位和第二个有用单位的有用地址信息,修理第二个有用单位。



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